2024年IGBT十大品牌

十大IGBT厂商排行榜,IGBT芯片-IGBT模块生产商,IGBT哪个品牌好
IGBT什么牌子好?经专业评测的2024年IGBT十大品牌名单发布啦!居前十的有:infineon英飞凌、富士电机Fe、Mitsubishi三菱、SemikronDanfoss、onsemi安森美、starpower、比亚迪半导体、Toshiba东芝、ST意法半导体、士兰微电子Silan等,上榜IGBT十大品牌榜单和著名IGBT品牌名单的是口碑好或知名度高、有实力的品牌,排名不分先后,仅供借鉴参考,想知道什么牌子的IGBT好?您可以多比较,选择自己满意的!IGBT品牌主要属于商标分类的第9类。榜单更新时间:2024年04月24日(每月更新)
英飞凌成立于1999年德国,前身是西门子集团的半导体部门,全球半导体解决方案的领导者,在汽车电子、功率半导体和微控制器等领域具有领先优势,专注于为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案,其产品以高可靠性、卓越质量和创新性著称,业务遍及全球100多个国家和地区。
富士电机创立于1923年日本,主要提供驱动控制器、不间断电源、自动化及仪器仪表产品及低压、中高压电器产品的综合机电产品制造企业。在电力、能源、水环境、各类产业设备工程等社会和产业基础设施领域开展事业,是国际领先的环保、新能源、产业设备工程提供商。
始创于1921年日本,作为一家技术导向型企业,三菱电机在压缩机、自动化、变频控制、动力设备等高科技领域造诣极深,连日本HTV航天器和新干线都对三菱电机的技术青睐有加。三菱专注于高精尖技术及专门知识的研究开发活动,致力于为全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场提供多样而优质的产品和服务。
赛米控成立于1951年德国,是全球领先的功率模块和系统制造商,于2022年与功率模块巨头Danfoss丹佛斯合并,主要生产现代节能型电机驱动器和工业自动化系统中的核心器件,包括IGBT模块、SiC、MOSFET模块、晶闸管/二极管模块、桥式整流器模块、IPM和分立元件等,应用于电源、可再生能源和电动车等领域。
onsemi安森美于1999年从摩托罗拉拆分独立,于2016年收购Fairchild仙童半导体公司,现已成为一家全球领先的半导体制造商,提供8万多款不同的器件和全球供应链,包括全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容,涵盖汽车、功率元件、工业自动化、AC-DC、传感器、信号控制等领域。
斯达半导成立于2005年,国内功率半导体器件领域的领军企业,车规级IGBT领域的佼佼者,于2020年在上交所上市(股票代码:603290),专业从事以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售服务,主要产品为IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等功率半导体元器件,其中IGBT模块产品超过600种。
比亚迪半导体成立于2004年,是国内领先的高效、智能、集成新型半导体企业,车规级IGBT领域的佼佼者,主要从事功率半导体、智能控制IC、智能传感器、光电半导体、制造及服务,产品已基本覆盖新能源汽车核心应用领域,同时广泛应用于工业、家电、新能源、消费电子等应用领域。
东芝是全球知名的半导体制造商,旗下东芝电子元件及存储装置公司成立于2017年,提供功率射频器件、晶体管、二极管、光电半导体、微控制器、传感器等各类IC及机械硬盘和移动硬盘等产品,其半导体产品包括SiC功率器件、MOSFET、IGBT/IEGT、隔离器/固态继电器、电源管理IC、智能功率IC、线性IC等。
意法半导体创始于1988年,由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成,为全球大型半导体公司,多媒体应用一体化和电源解决方案市场佼佼者,产品涵盖分立器件、高性能微控制器、安全型智能卡芯片、微机电系统(MEMS)器件等众多领域,拥有包括从分立二极管与晶体管到复杂的片上系统器件等广泛的半导体产品线。
士兰微电子始于1997年,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,于2003年在上交所上市(股票代码:600460),在绿色电源芯片技术、MEMS传感器技术、LED照明和屏显技术、高压智能功率模块技术、第三代功率半导体器件技术等多个技术领域保持了国内领先的地位。
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igbt工作原理和作用

一、igbt工作原理是什么

IGBT是绝缘栅双极晶体管的英文简称,是一种三端半导体开关的器件,一般igbt结构相当于一个四层半导体的器件,四层器件通过组合PNP和NPN晶体管构成了P-N-P-N排列;igbt模块则由散热基板、DBC基板、IGBT芯片、Diode芯片以及键合线组成。IGBT作为一种功率晶体管,主要用于变频器逆变和其他逆变电路,将直流电压逆变成频率可调的交流电,其工作原理是通过不断激活和停用其栅极端子来开启、关闭:IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电,使IGBT关断。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。

二、igbt的作用和功能

IGBT的主要作用是可以很容易地将输入的高压直流电流转换为高压交流电,只需通过脉宽调制即可实现变频控制,它通过十几伏的门极控制信号,即可实现kV级电压和kA级电流的控制,开关频率可达每秒几万次,具有高电压、大电流、高频率、低导通压降等特点,广泛应用于新能源汽车的电动控制系统、车载空调控制系统以及充电桩领域,智能电网的发电端、输电端、变电端、用电端,轨道交通的交流传动系统等领域。如果您需要采购igbt芯片或igbt模块,可以先来看看IGBT十大品牌

三、igbt芯片和igbt模块的区别

IGBT芯片是绝缘栅双极型晶体管芯片,是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,被称为“电力电子装置的CPU”,它和igbt模块统称igbt,不过igbt芯片和igbt模块还是有所不同的,简单来说,IGBT芯片就是一块封装好的绝缘栅双极型晶体管芯片,而igbt模块是由多个IGBT芯片、反并联二极管、驱动电路、保护电路等组成的集成模块。一般来说,IGBT芯片不会单独使用,而是组装成igbt模块再使用,因为IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点,当前市场上销售的多为模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块。

四、igbt模块怎么测量好坏

igbt模块损坏一般常见的原因有过电流损坏、过电压损坏、静电损坏、过热损坏、机械应力对产品的破坏等,判断IGBT模块是否损坏,一般需要先对其进行检测,igbt模块的检测一般分为两部分:1、判断极性:首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G),其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接地为发射极(E)。2、判断好坏:将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT的集电极(C),红表笔接IGBT 的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT被阻断,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。