英特尔发布十年制造工艺扩展路线图 2029年实现1.4纳米芯片

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  • 英特尔在IEEE国际电子设备会议(IEDM)上发布了未来十年制造工艺扩展路线图,并宣布2029年实现1.4纳米芯片。

    英特尔计划2019年的10纳米工艺开始,到2021年转向7纳米EUV(极紫外光刻),2023年采用5纳米,20253纳米,20272纳米,最终到2029年的1.4纳米。1.4纳米大小相当于12个硅原子。在两代工艺节点之间,会引入+++工艺迭代版本。

    英特尔在十年路线图还提到了“反向移植”(back porting)。反向移植是芯片设计时考虑的一个进程节点能力,即任何第一代7纳米设计可以反向移植到10++版本上,任何第一代5纳米设计可以反向移植到7++版本上,然后是3纳米反向移植到5++2纳米反向移植到3++上,依此类推。

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