王占国-半导体材料物理学家介绍

• 中文名 王占国
• 性别 男
• 国籍 中国
• 民族 汉族
• 出生地 河南省南阳市
• 出生日期 1938年12月
• 毕业院校 南开大学
• 职业职位 中国科学院院士
• 主要成就 “国家科技进步三等奖”、“国家自然科学二等奖”

1962年，毕业于南开大学物理系，随后进入中国科学院半导体所工作。

1980年 - 1983年，前往瑞典隆德大学固体物理系从事深能级物理和光谱物理研究。

1986年，担任中国科学院半导体所研究员、材料室主任。

1990年，被批准为中国科学院半导体所博士生导师。

1990年 - 1994年，担任中国科学院半导体所副所长。

1995年，当选为中国科学院院士。

1989年，荣获“中国科学院科技进步一等奖”。

1990年，荣获“国家科技进步三等奖”、“中国科学院科技进步三等奖”。

2001年，荣获“国家自然科学二等奖”、“何梁何利科学与技术进步奖”。