| 乾照 | |
| 商标注册号 | 12506865 |
| 类号 | 第9类 |
| 申请人 | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 图形 | |
| 商标注册号 | 7458476 |
| 类号 | 第9类 |
| 申请人 | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 乾照 CHANGELIGHT | |
| 商标注册号 | 7458477 |
| 类号 | 第9类 |
| 申请人 | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 乾照 CHANGELIGHT | |
| 商标注册号 | 17835857 |
| 类号 | 第42类 |
| 申请人 | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法 | |
| 专利申请号 | ZL201410551820.X |
| 专利名称 | 一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法 |
| 专利详情 | 第二十一届中国专利优秀奖(2019年) |
| 一种近红外发光二极管的外延结构、生长工艺及芯片工艺 | |
| 专利申请号 | ZL201310443689.0 |
| 专利名称 | 一种近红外发光二极管的外延结构、生长工艺及芯片工艺 |
| 专利详情 | 第二十届中国专利优秀奖(2018年) |
| 具有反射层的三结太阳电池及其制造方法 | |
| 专利申请号 | ZL200810072025.7 |
| 专利名称 | 具有反射层的三结太阳电池及其制造方法 |
| 专利详情 | 第十八届中国专利优秀奖(2016年) |
| 一种高效发光二极管芯片的简易制作方法 | |
| 专利申请号 | CN201510916691.4 |
| 专利名称 | 一种高效发光二极管芯片的简易制作方法 |
| 专利详情 | 详情 |